Με την χθεσινή αναγγελία ο Καθηγητής Επιστήμης και Τεχνολογίας στο Κέντρο Tohoku University κος Yokoyama Hiroyuki ανακοίνωσε πως το Εργαστήριο Προηγμένων Υλικών του συγκεκριμένου πανεπιστημίου σε συνεργασία με τη Sony Corporation καταφέρε την ανάπτυξη λέϊζερ μήκους κύματος 405 νανομέτρων (ένα nanometer είναι το ένα δισεκατομμυριοστό του μέτρου) στην μπλε περιοχή και στα 3 picoseconds (ένα picosecond είναι ένα τρισεκατομμυριοστό του δευτερολέπτου) με δυνατότητα υπερ-υψηλής απόδοσης και ισχύος αιχμής των 100 watt.
Το νέο λέϊζερ είναι ικανό να παράγει οπτικούς παλμούς διάρκειας 3 picoseconds με μέγιστη ισχύ 100 watts και επανάληψη παλμών στα 1 gigahertz. Η ισχύς είναι περισσότερο από εκατό φορές μεγαλύτερη απο την ανώτερη ισχύ που υπάρχει σε συμβατικά λέϊζερ αυτής της τεχνολογίας στον κόσμο αυτή τη στιγμή.
Η μονάδα είναι τεχνολογίας GaN με υψηλό βαθμό ελέγχου. Η Sony, ως αρχή επικύρωσης εφαρμογής της τεχνολογίας αυτής σε οπτικούς δίσκους, άνοιξε μια τρύπα περίπου 300 νανόμετρα σε διάμετρο κάθε σε 3 μικρόμετρα απόσταση αποδεικνύοντας την επιτυχία μιας ακτίνας λέϊζερ σε αυτή την λειτουργία.
Τα αποτελέσματα της μελέτης προκύπτουν από τη συγχώνευση της τεχνολογίας και των συσκευών λέιζερ ημιαγωγών που βασίζονται στην τεχνολογία της Sony και της εξαιρετικά σύντομου παλμού λέϊζερ πλατφόρμας του Tohoku University.
Αναμένεται αυτά τα χαρακτηριστικά να βοηθήσουν σε μεγάλη γκάμα τεχνολογιών όπως τρισδιάστατη (3D) νανό-κατασκευή ανόργανων/οργανικών υλικών σε μέγεθος νανόμετρων και οπτικούς δίσκους επόμενης γενιάς μεγάλης χωρητικότητας.
Χαρακτηριστικά: 405nm λέϊζερ, ισχύς 100W, 1GHz συχνότητα (τεχνολογία GaN), ακρίβεια 3μm, διάμετρος 300nm.
