Ερευνητές του Τμήματος Ηλεκτρολόγων και Μηχανικών Υπολογιστών στο Πανεπιστήμιο του Ιλινόις – Electrical and Computer Engineering Department of the University of Illinois, έχουν αναπτύξει μια νέα μνήμη χαμηλής ισχύος.
Η μνήμη θα χρησιμοποιεί πολύ λιγότερο ρεύμα και θα είναι πολύ ταχύτερη από τις λύσεις που είναι διαθέσιμες σήμερα. Η επανάσταση θα μπορεί να δώσει σε μελλοντικές καταναλωτικές ηλεκτρονικές συσκευές όπως smartphones και laptops μια πολύ πιο μεγάλης αυτονομίας ζωή μπαταρίας ενώ θα ωφελήσει και τις τηλεπικοινωνίες, την επιστήμη ή τον στρατό.
Μνήμες με… ‘εξυπνάδα’!
Η βιομηχανία εξετάσει την χρήση υλικών που ‘αλλάζουν χαρακτηριστικά’ – υλικά phase-change materials (PCM), ως εναλλακτική για να αποθηκεύονται πληροφορίες. Με την τεχνολογία PCM, κάθε bit αποθηκεύεται στο ίδιο το υλικό και μπορεί να ‘αλλάξει’ με μικρούς παλμούς ηλεκτρικής τάσης και τοπική θέρμανση Joule. Τα πλεονεκτήματα τέτοιων υλικών είναι πως χρειάζεται πολύ λιγότερη ισχύς από τα παραδοσιακά κυκλώματα, υπάρχει μεγάλη αντοχή ενώ και οι χρόνοι πρόσβασης είναι πιο μεγάλοι – ταχύτερες μνήμες. Από την άλλη χρειάζεται περισσότερη ισχύς για να γίνει ο προγραμματισμός των τσιπ.
Η ερευνητική ομάδα από το Illinois με τις οδηγίες του καθηγητή Eric Pop, κατάφερε να μειώσει ισχύ ανά bit που απαιτείται για να χρησιμοποιηθεί η τεχνολογία σε υπάρχουσες PCM λύσεις. Οι νανοσωλήνες από άνθρακα είναι 10.000 φορές μικρότεροι από την ανθρώπινη τρίχα και μεγαλώνουν με απόθεση χημικού καπνού που σωματίδια μετάλλου για καταλύτη πάνω σε υποστρώματα σιλικόνης – silicon dioxide/silicon (SiO2/Si) substrates.
Στους επαναστατικούς νανοσωλήνες υπάρχουν επαφές μεταλλικές από παλλάδιο και τιτάνιο και τοποθετούνται τυπικά στο μέσο του σωλήνα. Ένα λεπτό φιλμ από PCM ύστερα τοποθετείται από επάνω για να καλυφθούν τα νανοκενά και το στρώμα SiO2 από επάνω αυξάνει τη ζωή των κυκλωμάτων.
Εν ολίγοις: ΠΟΛΥ ταχύτερες μνήμες έρχονται…
