Παρά την πολύ κακή χρονιά του 2016, η Samsung ετοιμάζει μια εξέλιξη σημαντική για το 2018. Ετοιμάζεται για παραγωγή σε 7nm process node το 2018. Η Samsung Electronics μόλις έδειξε την τεχνολογία της στο foundry technology roadmap στο συνέδριο China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC) στην Shanghai στις 12 Μαρτίου και φαίνεται πως γίνεται.
Ο Samsung VP of Technology είπε πως όλοι οι κατασκευαστές είχαν προβλήματα με τις διαδικασίας κατασκευής σε sub-10nm τεχνολογία για να πετύχουν όγκο (rates) για το node αλλά η λύση είναι gate-all-around field-effect transistors (GAA FET).
Η κορεατική εταιρία θα υλοποιήσει κατασκευές GAA FET για τα 7nm and 5nm process nodes, είπε, με χρήση και extreme ultraviolet (EUV) λιθογραφίας. Η τεχνολογία θα χρησιμοποιηθεί αρχικά σε high-end chip εφαρμογές όπως GPUs, artificial intelligence (AI), servers και advanced driver assistance systems (ADAS).
Και όχι μόνο αυτό. Ο κ. Κang είπε πως παραγωγή 5nm θα είναι έτοιμη για το 2020. Ασταμάτητα.
