Η εταιρία Micron έχει ανακοινώσει μια σημαντική εξέλιξη στις τεχνολογίες NAND. Αν οι συσκευές NAND που γνωρίσαμε το 2000 έφεραν μεγαλύτερες χωρητικότητες τα τελευταία χρόνια, τώρα φαίνεται πως τα κύτταρα NAND χάρη σε νέα…
…αυτή τεχνική αποκτούν τρεις διαστάσεις. Η Micron είχε για ένα διάστημα συνεργαστεί με την Intel και τώρα ετοιμάζεται να φέρει στην αφορά SSD που βασίζονται στην τεχνολογία 3D X-Point.
Η τεχνολογία είναι μια τεχνολογία με 128 επίπεδα και αποτελεί τη μετάβαση από ένα σύστημα floating gate NAND cell σε ένα charge trap NAND cell.
Η Micron μαθαίνουμε λοιπόν έχει βάλει σε παραγωγή SSD με δύο επίπεδα που έχουν 88 στρώματα NAND το κάθε ένα. Στόχος είναι μια συσκευή με 176 επίπεδα σε ένα ‘τσιπ’ που έχει πάχος 45 microns. Τι σημαίνει αυτό; Πως ένα τέτοιο κύκλωμα έχει το ίδιο πάχος με μια συσκευή με 64 στρώματα.
Η Micron τοποθετεί τα dies 16 μαζί και έτσι όλο το πακέτο έχει πάχος μικρότερο από 1.5 mm με το σύστημα ελέγχου κάτω από τις στήλες. Η εταιρία το ονομάζει “CMOS under Array” (CuA).
Η Micron λέει πως ο αριθμός των στρώσεων μαζί με τον σχεδιασμό CuA επιτρέπει στα die της να είναι 30% μικρότερα από των ανταγωνιστών της ενώ τα read and write latencies είναι μειωμένα κατά 35%.
Οι νέες 176 layer flash έχουν αρχίσει να παράγονται σε μεγάλους αριθμούς και τα πρώτα προϊόντα να αναμένονται το 2021. Τι σημαίνει αυτό; Πως θα αυξηθούν οι χωρητικότητες και τα disk drives θα έχουν πιο ισχυρό ανταγωνισμό…